Сканирующий электронный микроскоп EM8100Pro

Высокоточный сканирующий электронный микроскоп EM8100Pro для детального исследования поверхности и структуры материалов с возможностью увеличения до нанометрового масштаба

Сканирующий электронный микроскоп EM8100Pro — карточка товара

EM8100Pro — обзор

EM8100Pro — высокопроизводительный сканирующий электронный микроскоп (FEG-SEM) семейства EM81x, спроектированный для задач материаловедения, микро- и наноанализа, контроля полупроводников и промышленного контроля качества. Аппарат оснащён термо/Schottky-полем эмиссионной (FEG/Schottky) электронной пушкой с высокой яркостью пучка, расширенными возможностями низковольтной съёмки и модульной платформой для подключения аналитических модулей (EDS, EBSD, WDS, CL и др.). Конструкция ориентирована на гибкость: стандартный набор включает моторизованный пятиосевой столик, набор детекторов для вторичных и отражённых электронов и современное ПО для одновременного отображения нескольких каналов изображения и расширенной обработки снимков.

Ключевые преимущества

  • Суб-нанометровое разрешение при высоком ускоряющем напряжении и отличная контрастность при низком kV — позволяет изучать тонкие поверхности и негрунтованные непроводящие образцы без обязательного напыления.
  • Высокая стабильность пучка и возможность регулировки режима «stage/beam deceleration» (stage bias / beam decel) для улучшения разрешения и снижения зарядообразования на нестабильных образцах.
  • Большой моторизованный столик с пятиосевым приводом (X, Y, Z, вращение, наклон) для удобной навигации по крупным образцам и автоматизированных картографий.
  • Модульная платформа: широкий выбор опций — энергодисперсионный анализ (EDS), дифракция обратнорассеянных электронов (EBSD), CL, WDS, холодное поле/Schottky-источник по заказу и набор манипуляторов/стейджей (крио, нагрев, растяжение).

Области применения

  • Материаловедение (металлы, керамика, композиты) — морфология, топография, анализ дефектов.
  • Полупроводниковая промышленность — инспекция структуры, контроль дефектов и картирование.
  • Научные исследования — нано-структуры, пористые материалы, порошки, волокна.
  • Контроль качества в производстве: каталоги частиц, анализ покрытий, контроль поверхности.

Программное обеспечение и удобство работы

ПО системы поддерживает одновременную работу с несколькими каналами (до 4–5 окон на экране), инструменты для измерений и аннотаций, базовые инструменты анализа изображения (интенсивностной анализ, выделение границ, подсчёт частиц) и экспорт изображений в высоком разрешении. Также доступны пакеты для автоматической съёмки/мэппинга и 3D-реконструкции как опции.

Комплектация (стандарт/опции)

  • Стандарт: колонна с Schottky/FEG источником, SE-детектор, многосекционный BSE, моторизованный 5-осевой столик, вакуумная система (турбо + ионный/геттерный насос + сухой насос/ротативный), рабочая станция с ПО.
  • Опции: EDS (энергодисперсионный анализ), EBSD, WDS, CL-детектор, крио-стейдж, нагревательный стейдж, микро/нано-манипуляторы, система напыления, автоматизированный загрузчик образцов.

Эксплуатационные требования и обслуживание

EM8100Pro требует выделенного пространства для колонны и блока вакуума, стабильного электрического питания и системы отвода тепла. Регулярное сервисное обслуживание включает калибровку оптики, проверку вакуума и обслуживание FEG/Schottky источника — рекомендуется заключать договор сервисного сопровождения у производителя/уполномоченного поставщика.

Таблица технических характеристик

ПараметрЗначение / диапазон
МодельEM8100 / EM8100F / EM8100Pro (варианты исполнения)
Тип источника электроновSchottky field emission gun (FEG) / термо-/Schottky (в зависимости от конфигурации)
Разрешающая способность (SE)≈ 1 нм @ 30 kV; ≈ 3 нм @ 1 kV (в зависимости от режима и конфигурации)
Разрешение (BSE)≈ 2.5–4 нм @ 30 kV (в зависимости от конфигурации)
Ускоряющее напряжение0.2–30 kV (некоторые варианты — 0–30 kV)
Диапазон увеличения≈ 15× – 800 000× (указания разных сборок: до 600 000–800 000×)
Ток зонда (probe current)≈ 10 пА – 300 нА (вариантные конфигурации и настройки)
Детекторы (стандарт/опции)SE-детектор; 4-сегментный полупроводниковый BSE; опции: EDS, EBSD, WDS, CL
Вакуумная системаКомбинация: турбомолекулярный насос + ионный/геттерный насос (+ роторный/сухой насос) для быстрой откачки и поддержания UHV/высокого вакуума
Столик (motorized stage)5 осей (X, Y, Z, вращение 360°, наклон −5°…+75°); диапазон перемещений X/Y/Z: примерно 0–150 мм (в зависимости от исполнения)
Максимальный диаметр/высота образца≈ 320–375 мм (в зависимости от комплектации и стейджа)
Интерфейс управленияРабочая станция с GUI; одновременное отображение 4–5 окон/каналов; инструменты измерения и обработки изображений
Форматы сохранения изображенийПоддержка экспорта в высоком разрешении (BMP, TIFF, JPG и др.) — вплоть до больших растров (указаны в ПО)
Потребление энергииЗависит от конфигурации; требует выделенной линии питания (рекомендуется отдельная розетка с заземлением)
Габариты / массаЗависит от конфигурации колонны + вакуумного блока; точные значения указываются в коммерческом предложении
Опции и аксессуарыEDS, EBSD, CL, WDS, крио/нагревательные стейджи, манипуляторы, напылители, автоматизированные загрузчики


Пояснение к таблице: приведённый набор параметров и диапазонов собран на основе официальной документации и карточек продукта/дистрибьюторов для серии EM8100 (включая EM8100F / EM8100F PRO). Конкретные значения (например, максимальный диаметр образца, точная скорость откачки, потребление энергии или габариты) зависят от комплектации и могут отличаться в коммерческом предложении — при подготовке коммерческой карточки для продажи рекомендую добавить строку «конфигурация/опции» и указывать точные параметры, согласованные с поставщиком.

ПараметрЗначение / диапазон
МодельEM8100 / EM8100F / EM8100Pro (варианты исполнения)
Тип источника электроновSchottky field emission gun (FEG) / термо-/Schottky (в зависимости от конфигурации)
Разрешающая способность (SE)≈ 1 нм @ 30 kV; ≈ 3 нм @ 1 kV (в зависимости от режима и конфигурации)
Разрешение (BSE)≈ 2.5–4 нм @ 30 kV (в зависимости от конфигурации)
Ускоряющее напряжение0.2–30 kV (некоторые варианты — 0–30 kV)
Диапазон увеличения≈ 15× – 800 000× (указания разных сборок: до 600 000–800 000×)
Ток зонда (probe current)≈ 10 пА – 300 нА (вариантные конфигурации и настройки)
Детекторы (стандарт/опции)SE-детектор; 4-сегментный полупроводниковый BSE; опции: EDS, EBSD, WDS, CL
Вакуумная системаКомбинация: турбомолекулярный насос + ионный/геттерный насос (+ роторный/сухой насос) для быстрой откачки и поддержания UHV/высокого вакуума
Столик (motorized stage)5 осей (X, Y, Z, вращение 360°, наклон −5°…+75°); диапазон перемещений X/Y/Z: примерно 0–150 мм (в зависимости от исполнения)
Максимальный диаметр/высота образца≈ 320–375 мм (в зависимости от комплектации и стейджа)
Интерфейс управленияРабочая станция с GUI; одновременное отображение 4–5 окон/каналов; инструменты измерения и обработки изображений
Форматы сохранения изображенийПоддержка экспорта в высоком разрешении (BMP, TIFF, JPG и др.) — вплоть до больших растров (указаны в ПО)
Потребление энергииЗависит от конфигурации; требует выделенной линии питания (рекомендуется отдельная розетка с заземлением)
Габариты / массаЗависит от конфигурации колонны + вакуумного блока; точные значения указываются в коммерческом предложении
Опции и аксессуарыEDS, EBSD, CL, WDS, крио/нагревательные стейджи, манипуляторы, напылители, автоматизированные загрузчики


Пояснение к таблице: приведённый набор параметров и диапазонов собран на основе официальной документации и карточек продукта/дистрибьюторов для серии EM8100 (включая EM8100F / EM8100F PRO). Конкретные значения (например, максимальный диаметр образца, точная скорость откачки, потребление энергии или габариты) зависят от комплектации и могут отличаться в коммерческом предложении — при подготовке коммерческой карточки для продажи рекомендую добавить строку «конфигурация/опции» и указывать точные параметры, согласованные с поставщиком.